XP3P020M

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XP3P020M
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 30V
卷带式 (TR)
998
: $0.4343
: 998

1

$1.0504

$1.0504

10

$0.8585

$8.5850

100

$0.6666

$66.6600

500

$0.5656

$282.8000

1000

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$464.6000

3000

$0.4343

$1,302.9000

6000

$0.4141

$2,484.6000

9000

$0.3939

$3,545.1000

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XP3P020M
XP3P020M
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET P-CH 30V
卷带式 (TR)
998
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP3P020
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9.3A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs20mOhm @ 9A, 10V
功耗(最大)2.5W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
供应商设备包8-SO
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs19.2 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2080 pF @ 15 V
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