VS-GT100TS065N

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VS-GT100TS065N
IGBT模块
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
MODULES IGBT -
盒子
12
: $65.8823
: 12

1

$72.6998

$72.6998

15

$65.8823

$988.2345

105

$59.0648

$6,201.8040

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VS-GT100TS065N
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IGBT模块
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
MODULES IGBT -
盒子
12
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列-
包裹盒子
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
输入Standard
配置Half Bridge Inverter
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic2.3V @ 15V, 100A
NTC热敏电阻No
供应商设备包INT-A-PAK IGBT
IGBT类型Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)(最大)96 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)650 V
功率 - 最大259 W
电流 - 集电极截止(最大)50 µA
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