TPH3205WSBQA

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单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
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单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
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产品参数
PDF(1)
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类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹管子
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs62mOhm @ 22A, 8V
功耗(最大)125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.6V @ 700µA
供应商设备包TO-247-3
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±18V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs42 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2200 pF @ 400 V
资质AEC-Q101
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