TP65H300G4LSG-TR

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TP65H300G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
6507
: $3.6259
: 6507

1

$3.6259

$3.6259

10

$3.0401

$30.4010

100

$2.4644

$246.4400

500

$2.1917

$1,095.8500

1000

$1.8685

$1,868.5000

3000

$1.7675

$5,302.5000

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TP65H300G4LSG-TR
TP65H300G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
6507
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs312mOhm @ 5A, 8V
功耗(最大)21W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.6V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V
Vgs(最大)±18V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9.6 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds760 pF @ 400 V
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