TP65H300G4JSGB-TR

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TP65H300G4JSGB-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
3942
: $1.5756
: 3942

1

$3.2421

$3.2421

10

$2.7270

$27.2700

100

$2.2018

$220.1800

500

$1.9594

$979.7000

1000

$1.6766

$1,676.6000

2000

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$3,151.2000

4000

$1.5756

$6,302.4000

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TP65H300G4JSGB-TR
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单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
3942
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9.2A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
功耗(最大)41.6W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.8V @ 500µA
供应商设备包8-PQFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)±10V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds400 pF @ 400 V
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