TP65H070G4LSG-TR

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TP65H070G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2686
: $5.1611
: 2686

1

$9.7162

$9.7162

10

$8.3224

$83.2240

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$6.9387

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500

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$5.1611

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TP65H070G4LSG-TR
TP65H070G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2686
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V
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