TP65H035G4QS

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TP65H035G4QS
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 46.5 A GA
卷带式 (TR)
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: $17.7760
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1

$17.7760

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TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 46.5 A GA
卷带式 (TR)
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产品参数
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C46.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs41mOhm @ 30A, 10V
功耗(最大)156W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 1mA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs22 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1500 pF @ 400 V
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