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$0.3535
$0.3535
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$0.2727
$2.7270
100
$0.1616
$16.1600
500
$0.1515
$75.7500
1000
$0.1010
$101.0000
3000
$0.0909
$272.7000
6000
$0.0909
$545.4000
9000
$0.0808
$727.2000
30000
$0.0808
$2,424.0000
75000
$0.0808
$6,060.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | U-MOSVI |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 3-SMD, Flat Leads |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 103mOhm @ 1A, 4.5V |
| 功耗（最大） | 500mW (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1V @ 1mA |
| 供应商设备包 | UFM |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | +6V, -8V |
| 漏源电压 (Vdss) | 20 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 270 pF @ 10 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
