SSM3J144TU,LXHF

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SSM3J144TU,LXHF
单 FET、MOSFET
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SMOS P-CH VDSS:
卷带式 (TR)
0
: $0.1111
: 0

1

$0.4141

$0.4141

3000

$0.1111

$333.3000

6000

$0.1010

$606.0000

9000

$0.0909

$818.1000

30000

$0.0909

$2,727.0000

75000

$0.0909

$6,817.5000

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SSM3J144TU,LXHF
SSM3J144TU,LXHF
单 FET、MOSFET
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SMOS P-CH VDSS:
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列U-MOSVI
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-SMD, Flat Leads
安装类型Surface Mount
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs93mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(最大)500mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 1mA
供应商设备包UFM
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.5V, 4.5V
Vgs(最大)+6V, -8V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4.7 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds290 pF @ 10 V
资质AEC-Q101
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