SQJQ184E-T1_GE3

  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
  • image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
AUTOMOTIVE N-CH
卷带式 (TR)
3039
: $1.6766
: 3039

1

$3.4542

$3.4542

10

$2.8987

$28.9870

100

$2.3432

$234.3200

500

$2.0806

$1,040.3000

1000

$1.7877

$1,787.7000

2000

$1.6766

$3,353.2000

6000

$1.6160

$9,696.0000

image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
image of 单 FET、MOSFET>SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
AUTOMOTIVE N-CH
卷带式 (TR)
3039
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 8 x 8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C430A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)600W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)80 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs272 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16010 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
captcha

点击这里给我发消息
0