SIHK105N60E-T1-GE3

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SIHK105N60E-T1-GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
卷带式 (TR)
2050
: $2.6866
: 2050

1

$5.5247

$5.5247

10

$4.6359

$46.3590

100

$3.7572

$375.7200

500

$3.3330

$1,666.5000

1000

$2.8583

$2,858.3000

2000

$2.6866

$5,373.2000

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单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
卷带式 (TR)
2050
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列EF
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerBSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C24A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs105mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)142W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK®10 x 12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs51 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2301 pF @ 100 V
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