SIHK075N60E-T1-GE3

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SIHK075N60E-T1-GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
卷带式 (TR)
2025
: $3.4441
: 2025

1

$6.4741

$6.4741

10

$5.5550

$55.5500

2000

$3.4441

$6,888.2000

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单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
卷带式 (TR)
2025
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列E
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerBSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs80mOhm @ 13A, 10V
功耗(最大)167W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK®10 x 12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs62 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2582 pF @ 100 V
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