SIDR220EP-T1-RE3

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SIDR220EP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 25 V
卷带式 (TR)
5988
: $1.5857
: 5988

1

$3.2623

$3.2623

10

$2.7371

$27.3710

100

$2.2119

$221.1900

500

$1.9695

$984.7500

1000

$1.6867

$1,686.7000

3000

$1.5857

$4,757.1000

6000

$1.5251

$9,150.6000

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单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 25 V
卷带式 (TR)
5988
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs0.58mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.1V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8DC
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)+16V, -12V
漏源电压 (Vdss)25 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs200 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds10850 pF @ 10 V
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