NXV08A170DB2

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NXV08A170DB2
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7
托盘
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: $13.3118
: 0

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$19.2809

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NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7
托盘
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C200A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds14000pF @ 40V
Rds On(最大)@Id、Vgs0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs195nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包APM12-CBA
年级Automotive
资质AEC-Q100
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