IRFHE4250DTRPBF

  • image of FET、MOSFET 阵列>IRFHE4250DTRPBF
  • image of FET、MOSFET 阵列>IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF
FET、MOSFET 阵列
International Rectifier
MOSFET 2N-CH 25
散装
9000
: $1.9493
: 9000

156

$1.9493

$304.0908

image of FET、MOSFET 阵列>IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF
FET、MOSFET 阵列
International Rectifier
MOSFET 2N-CH 25
散装
9000
产品参数
类型描述
制造商International Rectifier
系列HEXFET®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱32-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大156W (Tc)
漏源电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C86A (Tc), 303A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On(最大)@Id、Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
供应商设备包32-PQFN (6x6)
captcha

点击这里给我发消息
0