IPD35N10S3L26ATMA2

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IPD35N10S3L26ATMA2
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(75V 120
卷带式 (TR)
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: $0.6868
: 0

2500

$0.6868

$1,717.0000

5000

$0.6565

$3,282.5000

12500

$0.6262

$7,827.5000

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IPD35N10S3L26ATMA2
IPD35N10S3L26ATMA2
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(75V 120
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs24mOhm @ 35A, 10V
功耗(最大)71W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 39µA
供应商设备包PG-TO252-3-11
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs39 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2700 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
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