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IGN1011L70

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IGN1011L70
RF FET、MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
散装
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IGN1011L70
RF FET、MOSFET
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
散装
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Integra Technologies
系列-
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱PL32A2
安装类型Chassis Mount
频率1.03GHz ~ 1.09GHz
功率输出80W
获得22dB
技术GaN HEMT
供应商设备包PL32A2
额定电压120 V
电压 - 测试50 V
当前-测试22 mA
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