HN1B04FE-GR,LXHF

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HN1B04FE-GR,LXHF
双极晶体管阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q PNP
卷带式 (TR)
2353
: $0.4444
: 2353

1

$0.4444

$0.4444

10

$0.3838

$3.8380

100

$0.2626

$26.2600

500

$0.2121

$106.0500

1000

$0.1717

$171.7000

2000

$0.1515

$303.0000

4000

$0.1515

$606.0000

8000

$0.1414

$1,131.2000

12000

$0.1313

$1,575.6000

28000

$0.1313

$3,676.4000

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HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
双极晶体管阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q PNP
卷带式 (TR)
2353
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-563, SOT-666
安装类型Surface Mount
晶体管类型1 NPN, 1 PNP
工作温度150°C (TJ)
功率 - 最大100mW
集电极电流 (Ic)(最大)150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce200 @ 2mA, 6V
频率-转变80MHz
供应商设备包ES6
年级Automotive
资质AEC-Q101
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