GT700P08K

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GT700P08K
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
P-80V,-20A,RD(M
卷带式 (TR)
2477
: $0.7878
: 2477

1

$0.7878

$0.7878

10

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GT700P08K
GT700P08K
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
P-80V,-20A,RD(M
卷带式 (TR)
2477
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs72mOhm @ 2A, 10V
功耗(最大)125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.5V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs75 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1615 pF @ 40 V
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