GD25T512MEY2GR

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GD25T512MEY2GR
记忆
GigaDevice
IC FLASH 512MBI
卷带式 (TR)
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: $7.9689
: 0

3000

$7.9689

$23,906.7000

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GD25T512MEY2GR
GD25T512MEY2GR
记忆
GigaDevice
IC FLASH 512MBI
卷带式 (TR)
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产品参数
类型描述
制造商GigaDevice
系列GD25T
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小512Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 105°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率200 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (6x8)
内存接口SPI - Quad I/O, DTR
记忆组织64M x 8
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