GD25Q20EEIGR

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GD25Q20EEIGR
记忆
GigaDevice
IC FLASH 2MBIT
卷带式 (TR)
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: $0.3232
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3000

$0.3232

$969.6000

6000

$0.3030

$1,818.0000

15000

$0.2929

$4,393.5000

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$0.2828

$8,484.0000

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GD25Q20EEIGR
GD25Q20EEIGR
记忆
GigaDevice
IC FLASH 2MBIT
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商GigaDevice
系列GD25Q
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-XFDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小2Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率133 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-USON (3x2)
写入周期时间 - 字、页70µs, 2ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7 ns
记忆组织256K x 8
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