G30N02T

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G30N02T
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 20V
管子
5000
: $0.2121
: 5000

2000

$0.2121

$424.2000

6000

$0.2020

$1,212.0000

16000

$0.1919

$3,070.4000

30000

$0.1717

$5,151.0000

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G30N02T
G30N02T
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 20V
管子
5000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
功耗(最大)40W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包TO-220
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V
Vgs(最大)±12V
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