1
$0.8181
$0.8181
10
$0.7171
$7.1710
100
$0.4949
$49.4900
500
$0.4141
$207.0500
1000
$0.3535
$353.5000
2000
$0.3131
$626.2000
5000
$0.2929
$1,464.5000
10000
$0.2727
$2,727.0000
25000
$0.2727
$6,817.5000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| 功耗（最大） | 105W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (4.9x5.75) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 62 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 5002 pF @ 30 V |
