G09N06S2

  • image of FET、MOSFET 阵列>G09N06S2
  • image of FET、MOSFET 阵列>G09N06S2
G09N06S2
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
卷带式 (TR)
4000
: $1.0403
: 4000

1

$1.0403

$1.0403

10

$0.8585

$8.5850

100

$0.6666

$66.6600

500

$0.5656

$282.8000

1000

$0.4545

$454.5000

2000

$0.4343

$868.6000

4000

$0.4343

$1,737.2000

8000

$0.4141

$3,312.8000

12000

$0.3939

$4,726.8000

image of FET、MOSFET 阵列>G09N06S2
image of FET、MOSFET 阵列>G09N06S2
G09N06S2
G09N06S2
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60
卷带式 (TR)
4000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大2.6W (Tc)
漏源电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2180pF @ 30V
Rds On(最大)@Id、Vgs18mOhm @ 9A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs47nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2.2V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
captcha

点击这里给我发消息
0