EPC2022

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EPC2022
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 100
卷带式 (TR)
4611
: $9.0597
: 4611

1

$9.0597

$9.0597

10

$7.7669

$77.6690

100

$6.4640

$646.4000

500

$5.7065

$2,853.2500

1000

$5.1409

$5,140.9000

2000

$4.8177

$9,635.4000

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EPC2022
EPC2022
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 100
卷带式 (TR)
4611
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C90A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 12mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1500 pF @ 50 V
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