EPC2007

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EPC2007
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 100
卷带式 (TR)
0
: $0.9393
: 0

1000

$0.9393

$939.3000

2000

$0.8989

$1,797.8000

5000

$0.8585

$4,292.5000

10000

$0.8383

$8,383.0000

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EPC2007
EPC2007
单 FET、MOSFET
EPC
GANFET N-CH 100
卷带式 (TR)
0
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 1.2mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -5V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.8 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds205 pF @ 50 V
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