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photo transistors
EAPST2012A1
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EAPST2012A1
photo transistors
Everlight Electronics
LINEAR IC
卷带式 (TR)
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EAPST2012A1
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EAPST2012A1
photo transistors
Everlight Electronics
LINEAR IC
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型
描述
制造商
Everlight Electronics
系列
-
包裹
卷带式 (TR)
产品状态
ACTIVE
包装/箱
0805 (2012 Metric)
波长
940nm
安装类型
Surface Mount
方向
Top View
工作温度
-25°C ~ 85°C
电流 - 深色 (Id)（最大）
100 nA
集电极电流 (Ic)（最大）
20 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
30 V
功率 - 最大
75 mW
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