DTD543XE3TL

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DTD543XE3TL
单个预偏置双极晶体管
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
卷带式 (TR)
3000
: $0.3939
: 3000

1

$0.3939

$0.3939

10

$0.3131

$3.1310

100

$0.1818

$18.1800

500

$0.1717

$85.8500

1000

$0.1212

$121.2000

3000

$0.1111

$333.3000

6000

$0.1010

$606.0000

9000

$0.0909

$818.1000

30000

$0.0909

$2,727.0000

75000

$0.0808

$6,060.0000

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DTD543XE3TL
DTD543XE3TL
单个预偏置双极晶体管
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
卷带式 (TR)
3000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商ROHM Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SC-75, SOT-416
安装类型Surface Mount
晶体管类型NPN - Pre-Biased + Diode
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce140 @ 100mA, 2V
供应商设备包EMT3
集电极电流 (Ic)(最大)500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)12 V
功率 - 最大150 mW
频率-转变260 MHz
电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)10 kOhms
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