DMN1019USNQ-7

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DMN1019USNQ-7
单 FET、MOSFET
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
卷带式 (TR)
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: $0.1313
: 0

3000

$0.1313

$393.9000

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$787.8000

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$3,333.0000

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$8,332.5000

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DMN1019USNQ-7
DMN1019USNQ-7
单 FET、MOSFET
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9.3A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs10mOhm @ 9.7A, 4.5V
功耗(最大)680mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id800mV @ 250µA
供应商设备包SC-59-3
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.2V, 4.5V
Vgs(最大)±8V
漏源电压 (Vdss)12 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs50.6 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2426 pF @ 10 V
资质AEC-Q101
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