BY25Q64ASSIG(R)

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BY25Q64ASSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
卷带式 (TR)
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: $0.4646
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4000

$0.4646

$1,858.4000

6000

$0.4343

$2,605.8000

10000

$0.4242

$4,242.0000

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BY25Q64ASSIG(R)
BY25Q64ASSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小64Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7 ns
记忆组织8M x 8
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