BSC0996NSATMA1

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BSC0996NSATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 34V
卷带式 (TR)
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: $0.2828
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5000

$0.2828

$1,414.0000

10000

$0.2626

$2,626.0000

25000

$0.2626

$6,565.0000

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BSC0996NSATMA1
BSC0996NSATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 34V
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列OptiMOS™
包裹卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs9mOhm @ 8A, 10V
功耗(最大)2.5W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id2V @ 250µA
供应商设备包PG-TDSON-8-5
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)34 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs20 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1500 pF @ 15 V
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