AZ23C4V3-HE3_A-18

  • image of 齐纳二极管阵列>AZ23C4V3-HE3_A-18
  • image of 齐纳二极管阵列>AZ23C4V3-HE3_A-18
AZ23C4V3-HE3_A-18
齐纳二极管阵列
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
DIODE ZENER 4.3
卷带式 (TR)
0
: $0.0505
: 0

10000

$0.0505

$505.0000

30000

$0.0505

$1,515.0000

50000

$0.0404

$2,020.0000

image of 齐纳二极管阵列>AZ23C4V3-HE3_A-18
image of 齐纳二极管阵列>AZ23C4V3-HE3_A-18
AZ23C4V3-HE3_A-18
AZ23C4V3-HE3_A-18
齐纳二极管阵列
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
DIODE ZENER 4.3
卷带式 (TR)
0
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列AZ23
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
宽容±5%
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
配置1 Pair Common Anode
工作温度150°C (TJ)
电压 - 齐纳二极管(标称)(Vz)4.3 V
阻抗(最大)(Zzt)90 Ohms
供应商设备包SOT-23-3
年级Automotive
功率 - 最大300 mW
电流 - 反向漏电流@Vr3 µA @ 1 V
资质AEC-Q101
captcha

点击这里给我发消息
0