AS2302

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AS2302
单 FET、MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
卷带式 (TR)
23812
: $0.0303
: 23812

1

$0.1919

$0.1919

10

$0.1313

$1.3130

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$0.0202

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AS2302
AS2302
单 FET、MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
卷带式 (TR)
23812
产品参数
类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs55mOhm @ 3A, 4.5V
功耗(最大)700mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1.25V @ 250µA
供应商设备包SOT-23
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±10V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3.81 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds220 pF @ 10 V
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