AS1M025120T

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AS1M025120T
单 FET、MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
管子
15
: $38.4305
: 15

1

$38.4305

$38.4305

10

$34.1481

$341.4810

100

$29.8657

$2,986.5700

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AS1M025120T
AS1M025120T
单 FET、MOSFET
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
管子
15
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C65A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs34mOhm @ 50A, 20V
功耗(最大)370W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 15mA
供应商设备包TO-247-4
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)20V
Vgs(最大)+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs195 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4200 pF @ 1000 V
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