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分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET
RF FET、MOSFET
A5G21H605W19NR3
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A5G21H605W19NR3
RF FET、MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
卷带式 (TR)
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A5G21H605W19NR3
RF FET、MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型
描述
制造商
NXP Semiconductors
系列
-
包裹
卷带式 (TR)
产品状态
ACTIVE
包装/箱
OM-780-4S4S
安装类型
Surface Mount
频率
2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出
85W
获得
15.1dB
技术
GaN
供应商设备包
OM-780-4S4S
额定电压
125 V
电压 - 测试
48 V
当前-测试
300 mA
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